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提高平板顯示屏鍍膜應用中的靶材利用率

2020-02-28

国内偷拍国内精品视频平板顯示屏的制造過程需要一系列的薄膜濺射技術。薄膜濺射的一個主要的成本因素就是靶材料,即用于產生透明導電層的ITO靶。采用標準磁場方法,靶利用率為23%,而采用移動磁場方法 ,可將靶利用率提高到50%,從而將材料成本減半。


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国内偷拍国内精品视频為了提高靶利用率,BPS研制出一種靶后帶有移動磁場裝置的陰極。ITO工藝的一個要求是有一個強磁場,從而獲得較低的放電電壓和較低的特定電阻率。優化的另一個焦點是在整個靶表面得到一個近似于平面的腐蝕面。圖1顯示了標準陰極方法和移動磁場方法的區別。


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圖1 標準陰極法和移動磁鐵法的比較


進行磁場優化后,在不移動磁鐵的情況下,對一個靶進行向下濺射。測量其靜態腐蝕面,并用計算機模擬不同速度類型(如直線型、在末端有停頓的直線型、正弦型及這些類型的組合)來對移動輪廓進行優化。按優化了的移動輪廓對靶進行濺射。發現在Al和ITO靶的情況下,模擬所得的輪廓與計算所得的輪廓吻合得很好見圖2(模擬的和實測的腐蝕輪廓的比較)。采用該程序并通過幾次循環,完成了對磁場和速度的優化。用優化后的方案,將ITO向正下方濺射,并通過測量靶材料的重量損失來確定靶利用率 。在新方案下,靶利用率達到了50.3%。在將ITO靶向正下方濺射的過程中,監視過程參數。一個很重要的參數就是靶的壽命期內的放電電壓,如圖3(不同濺射功率下,放電電壓隨靶的壽命變化的情況)所示。在靶的壽命期內,由于磁場增加,放電電壓略有下降。


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国内偷拍国内精品视频圖4(靶的壽命期內電阻率最小值曲線)給出了在靶的壽命期內,基片溫度為200℃時移動磁鐵法中ITO最小電阻率曲線的比較。在靶的整個壽命期內,最小電阻率原則上與反應氣體的流速一樣,偏差不超過±3%。可得到的最小的電阻率約為 215 μΨ cm。微小的上升是由于移動磁鐵陰極的放電電壓升高所致。原則上,該方法完全可以保持用傳統陰極已經獲得的極好的膜特性。同時測量了靶的壽命期內淀積的層的厚度,見圖5(靶的壽命期內的厚度變化)。在靶壽命的前70%,鍍層厚度幾乎恒定,只是在后期,厚度減小了6%。必須指出的是,在靶的壽命期內,工藝參數沒有改變。


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另一個重要的膜特性是ITO層的透射率。在靶的壽命期內透射率增加 2%(見圖6) 主要是由于鍍層厚度的減小以及結晶度的改善 ,該改善也反映在電阻率的降低上。生產中,該效應可以通過調節陰極功率和提升磁鐵來很容易地進行補償,以便達到使鍍層厚度和電阻率恒定的目的。對于其它應用,如2~3μm厚的Cu膜的PDP,  Move Mag的設計適用于功率達15W/cm2下的高速濺射。可以通過改變磁鐵的形狀,以便在不同的工藝條件下(靶厚度、靶材料)保持靶的利用率。


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圖 6 靶的壽命期內透射率的變化


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